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Dario Narducci

Professore associato

Via Roberto Cozzi, 55
tel.:  02.6448.5137
Riceve previo appuntamento.
e-mail:  dario.narducci@unimib.it
web page: www.mater.unimib.it/utenti/narducci

Curriculum Vitae

Dario Narducci si è laureato in Chimica presso l'Università di Milano nel 1984. Nel 1985 ha vinto una borsa di studio di un anno dalla 3M Italia, divisione di ricerca, per studiare materiali luminescenti. Dal 1985 al 1988 è stato dottorando di ricerca studente in Chimica presso l'Università di Milano, dove ha lavorato nel settore della chimica fisica dello stato solido, conducendo uno stage trimestrale presso il Laboratorio di Fisica dell'Università di Amsterdam (Paesi Bassi), dove ha lavorato nel campo della risonanza di spin elettronico di difetti e impurezze in silicio. Dal 1988 al 1990 è stato Post Doctoral Fellow presso l'IBM Thomas J. Watson Research Center di Yorktown Heights, NY (USA) dove ha condotto ricerche sul diamante come materiale semiconduttore. Nel 1990 è diventato ricercatore presso l'Università degli Studi di Milano, Dipartimento di Chimica Fisica ed Elettrochimica, trasferendosi nel 1997 al Dipartimento di Scienza dei Materiali, Università degli Studi di Milano Bicocca. Dario Narducci è diventato Professore Associato di Chimica Fisica nel 2000.

Didattica

Dario Narducci insegna attualmente Chimica Fisica presso il corso di laurea di primo livello in Scienza dei Materiali e Chimica Fisica Superiore presso il corso di laurea magistrale in Scienze e Tecnologie chimiche.

Attività di Ricerca

 

Dario Narducci ha svolto attività di ricerca in molti campi della scienza dei materiali, conservando tuttavia un interesse primario sui processi di trasporto e sulle superfici. Inizialmente attivo sui processi di conduzione nei semiconduttori disordinati e nei dielettrici (materiali policristallini, vetri e sistemi amorfi ), le sue ricerche si sono estese ai sensori per gas basati su film sottili di semiconduttori, approdando in tempi più recenti all'analisi delle interazioni gas-superficie in superfici di silicio modificate per grafting di frammenti molecolari organici e bio-organici. In parallelo, la sua attività di ricerca sui materiali per l'energia ha spaziato dal silicio fotovoltaico alle applicazioni del silicio nanostruttirato nella conversione termoelettrica. Tra i principali risultati della sua ricerca Dario Narducci annovera un modello quantitativo per l'analisi della conducibilità elettrica in sensori di gas ossidici e un modello relativo ad effetti di filtraggio in energia di portatori di carica in materiali compositi. Attualmente la sua attività di ricerca si concentra principalmente sullo sviluppo di nuove strategie per la generazione termoelettrica utilizzando silicio nanostrutturato; e su biosensori basati su nanofili di silicio .
Dario Narducci è stato un membro fondatore del centro interuniversitario L-NESS di Como ed è membro del Progetto Babbage (SISSA , Trieste) . Autore di oltre cento pubblicazioni scientifiche , è anche l'autore di un libro sulle nanotecnologie e di quindici brevetti.

Esperienza di ricerca ha attraversato diversi campi della scienza dei materiali , mantenendo due caratteristiche - processi di trasporto e superfici . Passando da un interesse iniziale per i processi di conduzione nei semiconduttori disordinati e dielettrici ( policristalli , bicchieri e sistemi amorfi ) , le indagini hanno investito rilevazione dei gas a semiconduttore film sottili , atterrando più recente per l'analisi delle interazioni gas-superficie a superfici di silicio modificata mediante innesto delle frazioni organiche e bio - organica. In parallelo , attività di ricerca sui materiali per l'energia ha misurato dal silicio fotovoltaico a termoelettrica . Come principali realizzazioni , un modello quantitativo per l'analisi della conducibilità elettrica in ossidi di sensori di gas e di una teoria di filtraggio energia in compositi sono stati sviluppati . Attualmente , la sua attività di ricerca si concentra principalmente sullo sviluppo di nuove strategie per una migliore generazione termoelettrica utilizzando silicio nanostrutturato e biosensori usando nanofili di silicio .
Dario Narducci è stato un membro fondatore del consiglio di amministrazione della nanotecnologia Inter- University Center di Como ( L- NESS ) scientifica e del Progetto Babbage ( SISSA , Trieste) . Autore di oltre cento pubblicazioni scientifiche , è anche l' autore di un libro sulle Nanotecnologie e di quindici brevetti pure.

Principali pubblicazioni

(ultimi cinque anni)

  1. M. Bollani, J. Osmond, G. Nicotra, C. Spinella, and D. Narducci, Strain–Induced Generation of Silicon Nanopillars, Nanotechnology24 (2013) 335302 (UK).
  2. Y.-L. Khung, D. Narducci, Synergizing nucleic acid aptamers with 1-dimensional nanostructures as label-free field-effect transistor biosensors, Biosensors and Bioelectronics50 (2013) 278 (Netherlands).
  3. D. Narducci, G.F. Cerofolini, M. Ferri, F. Suriano, F. Mancarella, L. Belsito, Solmi, and A. Roncaglia, Phonon scattering enhancement in silicon nanolayers, Journal of Materials Science48 (2013) 2779 (Germany).
  4. N. Neophytou, X. Zianni, M. Ferri, A. Roncaglia, G. F. Cerofolini, and D. Narducci, Nanograin effects on the thermoelectric properties of poly-Si nanowires, Journal of Electronic Materials42 (2013) 2393 (USA).
  5. N. Neophytou, X. Zianni, H. Kosina, S. Frabboni, B. Lorenzi, and D. Narducci, Simultaneous increase in electrical conductivity and Seebeck coefficient in highly boron-doped nanocrystalline Si, Nanotechnology24 (2013) 205402 (UK).
  6. G.F. Cerofolini, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, E. Romano, R. Tonini, and D. Narducci, Using evidence from nanocavities to assess the vibrational properties of external surfaces, Journal of Physics Condensed Matter24 (2012) 104005 (UK).
  7. D. Narducci, E. Selezneva, G.F. Cerofolini, S. Frabboni, and G. Ottaviani, Impact of energy filtering and carrier localization on the thermoelectric properties of granular semiconductors, Journal of Solid State Chemistry193 (2012) 19 (Netherlands).
  8. G.F. Cerofolini, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, E. Romano, R. Tonini, and D. Narducci, Using evidence from nanocavities to assess the vibrational properties of external surfaces, Journal of Physics Condensed Matter24 (2012) 104005 (UK).
  9. D. Narducci, Electric Power Output Optimization in Seebeck generators: Beyond high ZT, AIP Conference Proceedings1449 (2012) 532 (USA).
  10. D. Narducci, E. Selezneva, G.F. Cerofolini, S. Frabboni, and G. Ottaviani, High Figures of Merit in Degenerate Semiconductors. Energy Filtering by Grain Boundaries in Heavily Doped Polycrystalline Silicon, AIP Conference Proceedings1449 (2012) 311 (USA).
  11. D. Narducci, Electric Power Output Optimization in Seebeck generators: Beyond high ZT, AIP Conference Proceedings1449 (2012) 532 (USA).
  12. G.F. Cerofolini, M. Ferri, E. Romano, F. Suriano, G.P. Veronese, S. Solmi, and D. Narducci, Crossbar architecture for tera-scale integration, Semiconductor Science and Technology26 (2011) 045005 (UK).
  13. D. Narducci, Biosensing at the nanoscale: There's plenty of room inside, Science of Advanced Materials3 (2011) 426-435 (USA).
  14. M. Ferri, F. Suriano, A. Roncaglia, S. Solmi, G.F. Cerofolini, E. Romano, and D. Narducci, Ultradense silicon nanowire arrays produced via top-down planar technology, Microelectronic Engineering88 (2011) 877-881 (Netherlands).
  15. G.F. Cerofolini, D. Narducci, E. Romano, L. Baldi, and S. Carrara, A special issue on nanoengineered silicon: Technology and applications, Science of Advanced Materials,3 (2011) 297-300 (USA).
  16. G.F. Cerofolini, L. Baldi, S. Carrara, D. Narducci, and E. Romano, Nanoengineered silicon: Technology and applications, Science of Advanced Materials3 (2011) 301-311 (USA).
  17. D. Narducci, Do we really need high thermoelectric figures of merit? A critical appraisal to the power conversion efficiency of thermoelectric materials, Applied Physics Letters99 (2011) 102104 (USA).
  18. D. Narducci, Thermodynamic Efficiency, Power Output and Performance Indices of Classic and Nanostructured Thermoelectric Materials, Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing1 (2011) 63-70 (USA).
  19. G.F. Cerofolini, E. Romano, and D. Narducci, Chimaera – A New Threefold Functionalized Nanostructured Agent in Cancer Therapy, Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing, Vol. 1, pp. 50-62, 2011
  20. G. F. Cerofolini, E. Romano,  D. Narducci, P. Belanzoni and G. Giorgi, ‘Assigning chemical configurations to the XPS features observed at pristine (100) Si surface resulting after etching in HF aqueous solution’, Applied Surface Science256 (2010) 6330-6339 (Netherlands).
  21. E. Romano, G.F. Cerofolini, D. Narducci, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, and R. Tonini, ‘A tool for the spectroscopic investigation of hydrogen-silicon interaction’,Surface & Interface Analysis42 (2010) 1307 (USA).
  22. E. Romano, G.F. Cerofolini, D. Narducci, C. Galati, and L. Renna, ‘Comparing the IR spectra of H-terminated inner and outer silicon surfaces’, Surface & Interface Analysis,  42 (2010) 1321 (USA).
  23. G.F. Cerofolini, E. Romano, D. Narducci, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, and R. Tonini, ‘Adsorption equilibria and kinetics of H2 at nearly ideal (2´1) Si(100) inner surfaces’, Surface Science604 (2010) 1215 (Netherlands).
  24. G.F. Cerofolini, M. Ferri, E. Romano, F. Suriano, G.P. Veronese, S. Solmi, and D. Narducci, ‘Tera scale integration via a redesign of the crossbar based on a vertical arrangement of poly-Si nanowires’, Semiconductor Science & Technology25 (2010) 095011 (UK).
  25. E. Di Vita and D. Narducci, ‘Sputter-induced damages and impurity effects on oxidized and grafted silicon surfaces’, Thin Solid Films517 (2009) 1944-1948 (Netherlands).
  26. E. Romano, D. Narducci, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, R. Tonini, and G. F. Cerofolini, ‘Nanocavities in silicon: an infrared investigation of internal surface reconstruction after  hydrogen implantation’, Materials Science & Engineering B159-160 (2009) 173-176 (Netherlands).
  27. G. F. Cerofolini, E. Romano, D. Narducci, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, and R. Tonini, ‘Hydrogen injection and retention in nanocavities of single-crystalline silicon’,Journal of Physics D: Applied Physics42 (2009) 062001 (UK).
  28. E. Romano, G.F. Cerofolini, D. Narducci, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, R. Tonini, ‘Evidence for H2 at high pressure in the silicon nanocavities after dipping in HF solutions’, Surface Science603 (2009) 2188-2192 (Netherlands).
  29. A. Le Donne, M. Acciarri, D. Narducci, S. Marchionna and S. Binetti, ‘Encapsulating Eu3+ Complex Doped Layers to Improve Si-based Solar Cell Efficiency’, Progress In Photovoltaics: Research and Applications17 (2009) 519-525 (USA).
  30. G.F. Cerofolini, A. Giussani, A. Modelli, D. Mascolo, D. Ruggiero, D. Narducci, and E. Romano, ‘Chemical, energetic, and geometric heterogeneity of device-quality (1 0 0) surfaces of single crystalline silicon after HFaq etching’, Applied Surface Science254(2008) 5781-5790 (Netherlands).
  31. G. F. Cerofolini, D. Narducci, P. Amato, and E. Romano, ‘Fractal Nanotechnology’,Nanoscale Research Letters3 (2008) 381-385 (USA).

Progetti e contratti

Dario Narducci ha diretto e partecipato a numerosi progetti scientifici nazionali e internazionali, tra cui due Progetti di Ricerca Nazionale (PNR), tre Progetti di Ricerca di Interesse Nazionale (PRIN) e un progetto comunitario nell'ambito del IV Programma Quadro. E' stato altresì responsabile di tre progetti finanziati con fondi privati ​​sui sistemi di rilevazione gas e di diversi progetti di ricerca finanziati da PMI. Dal 2010 Dario Narducci è Chief Technical Officer e membro del Consiglio di Amministrazione di uno spin-off finalizzato allo sviluppo di generatori termoelettrici per il recupero energetico.

Affiliazioni

Dario Narducci è membro del Consorzio Interuniversitario Nazionale per la Scienza dei Materiali (CNISM), della Materials Research Society, della American Chemical Society e della Società Chimica Italiana.

Brevetti

  1. J.J. Cuomo and D. Narducci, ‘Non-Destructive Method for Measuring Peeling Energies Using Dielectric Spectroscopy’, IBM Technical Disclosure Bulletin33 (1990) 415-416 (USA).
  2. D. Narducci, ‘Sensore di Gas’, ITRM2005A000082(A1) (25 febbraio 2005).
  3. D. Narducci, ‘Metodo perfezionato per analisi gas-cromatografiche e relativa apparecchiatura’, ITRM2005A000084(A1) (25 febbraio 2005).
  4. D. Narducci, ‘Metodo e dispositivo per rilevare fughe di gas odorizzato’, ITRM2005A000081(A1) (25 febbraio 2005).
  5. D. Narducci, ‘Sensore di nitroderivati aromatici’, ITRM2005A000083(A1) (25 febbraio 2005).
  6. C. Alippi, D. Narducci e M. Saini Fasanotti, ‘Metodo di classificazione e classificatore statistico per attuare il metodo’, ITVE2006A000058(A1) (21 settembre 2006).
  7. D. Narducci, ‘Electric Device For Determining Aeriform Substances’, WO089719(A1) – EP1856515(A1) – US2006191791(A1) – JP2006191791(A1) – CA2537561(A1) (31 agosto 2006).
  8. D. Narducci, ‘Metodo di ignifugazione di materiale ligneo’, ITVE2006A000083(A1) (27 dicembre 2006).
  9. M. Oldani, A. Bernardi and D. Narducci, ‘Gas sensor comprising a gas sensitive cyclodextrin layer covalently bonded to a semiconducting substrate and method for its preparation’, WO2009000661(A1) – VE2007A000041 (27 giugno 2007).
  10. D. Narducci, ‘Seebeck/Peltier bidirectional thermo-electric conversion device using nanowires of conductor or semiconductor material’, WO2009125317(A2)-ITRM20080193(A1) (11 aprile 2008)
  11. D. Narducci, G.F. Cerofolini, ‘Dispositivo di conversione termo-elettrica ad effetto Seebeck/Peltier impiegante strutture di materiale semiconduttore trattato non richiedente definizione su scala nanometrica’, ITVA2009A000050 (15 luglio 2009).
  12. D. Narducci, G. F. Cerofolini, ‘Seebeck/Peltier thermoelectric conversion element with parallel nanowires of conductor or semiconductor material organized in rows and columns through an insulating body and process’, ITVA2009A000082 EP2513988 (15 dicembre 2009).
  13. D. Narducci, ‘Metodo per la protezione di superfici di argento e sue leghe dall'imbrunimento’, ITVE2010A000008 − PCT/IB2011/000369  (24 febbraio 2010).
  14. D. Narducci, G.F. Cerofolini, ‘Seebeck/Peltier Thermoelectric Conversion Device Employing Treated Films of Semiconducting Material Not Requiring Nanometric Definition’, PCT/IB2010/001729 (July 14, 2010).
  15. D. Narducci e G.F. Cerofolini, ‘Dispositivo di conversione termoelettrica Seebeck/Peltier impiegante strati nanometrici impilati alternati di materiale conduttore e dielettrico e procedimento di fabbricazione’, MI2011A000751 (4 aprile 2011).
  16. D. Narducci e G.F. Cerofolini, ‘Dispositivo di conversione termoelettrica Seebeck/Peltier avente strati di semiconduttore cristallino di confinamento di fononi contenenti gruppi organici Angstrom-dimensionali quali sostituenti di atomi di semiconduttore nei domini cristallini e procedimento di fabbricazione’, MI2011A001558 (30 agosto 2011).
  17. D. Narducci e G.F. Cerofolini, ‘Dispositivo Seebeck-Peltier a base di un semiconduttore policristallino degenere in cui è presente una seconda fase ricca di drogante’, MI2011A002047 (11 novembre 2011).
  18. G.F. Cerofolini e D. Narducci, ‘Componenti microelettronici, in particolare circuiti CMOS, comprendenti elementi termoelettrici di raffreddamento ad effetto Seebeck/Peltier, integrati nella loro struttura’,  RM2011A000472 (9 settembre 2011).
  19. G.F. Cerofolini, D. Narducci e E. Romano, ‘Nanotori of semiconductor material for use in diagnostics and in the anti-tumor therapy and process for the production thereof’,  PCT/IT2011/000110, WO2012140680 (12 aprile 2011).
  20. D. Narducci, ‘Method for protecting silver and silver alloy surfaces against tarnishing’, WO2011IB00369 2011-09-01 (priority date 2010-02-24)
  21. D. Narducci e G.F. Cerofolini, ‘Seebeck/Peltier thermoelectric conversion device employing a stack of alternated nanometric layers of conductive and dielectric material and fabrication process’, US2012279542 (A1) 2012-11-08 (priority date 2011-05-04)
  22. D. Narducci e G.F. Cerofolini, ‘Seebeck/Peltier thermoelectric conversion device employing treated films of semiconducting material not requiring nanometric definition’, US2012174954 (A1) 2012-07-12 (priority date 2009-07-15)