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Emiliano Bonera

Professore associato

Dipartimento di Scienza dei Materiali
Università degli Studi Milano-Bicocca
via R. Cozzi 55, 20125, Milano, Italy

tel+39.026448.5033 fax+39.026448.5400
e-mail: emiliano.bonera@unimib.it

Curriculum Vitae

Emiliano Bonera si è laureato in Fisica presso l'Università di Pavia. E' stato studente anche presso l'Università di Strathclyde di Glasgow (UK). Ha conseguito il Dottorato di Ricerca in Fisica e Astronomia nel 2002 presso l'Università di Leeds(UK). Dopo due anni di post-doc presso il laboratorio Materiali e Dispositivi per la Microelettronica, un laboratorio all'interno del sito industriale di STMicroelectronics, è diventato ricercatore CNR nel 2004. La sua missione presso MDM era di gestire la caratterizzazione ottica dei materiali. Nel 2007 si è unito al gruppo di spettroscopia di semiconduttori di Bicocca come ricercatore, dove sta attualmente lavorando alla spettroscopia di eterostrutture e nanostrutture di semiconduttori.

Didattica

  • Introduzione ai Semiconduttori (Corso di Laurea in Scienza dei Materiali)

Attività di Ricerca

Tecniche: spettroscopia Raman, fotoemissione interna, spettroscopia infrarossa, fotoluminescenza, microscopia ottica a campo prossimo.

Tematiche: semiconduttori, isolanti, nanostrutture, e altre tematiche relative alla microelettronica e optoelettronica.

Principali pubblicazioni

  • Dislocation distribution across ultrathin silicon-on-insulator with epitaxial SiGe stressor Emiliano Bonera, Riccardo Gatti, Giovanni Isella, Gerd Norga, Andrea Picco, Emanuele Grilli, Mario Guzzi, Michaël Texier, Bernard Pichaud, Hans von Känel and Leo Miglio Appl. Phys. Lett. 103, 053104 (2013).
  • Substrate strain manipulation by nanostructure perimeter forces E. Bonera, M. Bollani, D. Chrastina, F. Pezzoli, A. Picco, O. G. Schmidt and D. Terziotti J. Appl. Phys. 113, 164308 (2013).
  • Lithographically defined low dimensional SiGe nanostripes as silicon stressors M. Bollani, D. Chrastina, M. Fiocco, V. Mondiali, J. Frigerio, L. Gagliano and E. Bonera J. Appl. Phys. 112, 094318 (2012) .
  • Phonon strain shift coefficients in Si1−xGex alloys F. Pezzoli, E. Bonera, E. Grilli, M. Guzzi, S. Sanguinetti, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, E. Wintersberger, J. Stangl and G. Bauer J. Appl. Phys. 103, 093521 (2008).
  • Band alignment at the La2Hf2O7/(001)Si interface G. Seguini, S. Spiga, E. Bonera, M. Fanciulli, A. Reyes Huamantinco, C. J. Förs , C. R. Ashman, P. E. Blöchl, A. Dimoulas and G. Mavrou Appl. Phys. Lett. 88, 202903 (2006).
  • Atomic-layer deposition of Lu2O3 G. Scarel , E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fanciulli, I. L. Fedushkin, H. Schumann, Yu. Lebedinskii and A. Zenkevich Appl. Phys. Lett. 85, 630 (2004).
  • Combining high resolution and tensorial analysis in Raman stress measurements of silicon Emiliano Bonera, Marco Fanciulli and David N. Batchelder J. Appl. Phys. 94, 2729 (2003).
  • Time of flight secondary ion mass spectrometry study of silicon nanoclusters embedded in thin silicon oxide layers M. Perego, S. Ferrari, S. Spiga, E. Bonera, M. Fanciulli and V. Soncini Appl. Phys. Lett. 82, 121 (2003).
  • Raman spectroscopy for a micrometric and tensorial analysis of stress in silicon Emiliano Bonera, Marco Fanciulli and David N. Batchelder Appl. Phys. Lett. 81, 3377 (2002) .

Affiliazioni

L-NESS Inter-University Center (http://lness.como.polimi.it/)