Spettroscopia ottica dei semiconduttori

La nostra attività di ricerca è dedicata allo studio sperimentale delle proprietà ottiche e la crescita di semiconduttori appartenenti ai gruppi IV e III-V. Studiamo i semiconduttori e le loro strutture quantiche che hanno un interesse per la micro- e opto-elettronica.

Eterostrutture SiGe

Le leghe SiGe sono importanti da un punto di vista fondamentale ed applicativo per le loro proprietà strutturali, chimiche ed elettroniche per applicazioni in microelettronica e fotonica.

  • Tramite Raman e fotoluminescenza, studiamo la correlazione tra condizioni di crescita e proprietà del sistema. Si analizzano le proprietà di stress, composizione e dimensionalità sulle proprietà vibrazionali ed elettroniche delle eterostrutture.
  • Tramite microspettroscopia Raman studiamo le proprietà vibrazionali delle strutture di SiGe, principalmente punti quantici.
  • Analizziamo le proprietà elettroniche di buche quantiche multiple tramite spettroscopie di trasmissione e fotoluminescenza in funzione della temperatura.
  • Studiamo le proprietà di spin di eterostrutture Ge/SiGe mediante spettroscopia di fotoluminescenza con controllo della polarizzazione.

 

Gruppo di ricerca

Laboratorio

Laboratorio di Spettroscopia dei semiconduttori – Edificio U5, Piano 1, locale 1066-1069-1073-1075

Facilities

Per fotoluminescenza, eccitazione di fotoluminescenza, trasmissione e Raman nell’intervallo 0.4 – 5.0 eV, utlizziamo diversi apparati spettroscopici dispersivi e FT. La spettroscopia Raman può arrivare fino a 5 cm-1. Le temperature di misura vanno da 2 K a 450 K. Sorgenti: He-Ne, Ar, Ar-raddoppiato, Ti-zaffiro, DPSS e diodi laser, lampade ad incandescenza ed ad alta pressione. Sistema di misura Raman e PL nel range 4 K – 300 K, 0.75 – 3.4 eV. Sistema di fotoluminescenza e decadimento risolto in tempo con tempi fino a 10-8 s. Epitassia molecolare per semiconduttori III-V. Caratterizzazione AFM.