Spettroscopia ottica dei semiconduttori

La nostra attività di ricerca è dedicata allo studio sperimentale delle proprietà ottiche e la crescita di semiconduttori appartenenti ai gruppi IV e III-V. Studiamo i semiconduttori e le loro strutture quantiche che hanno un interesse per la micro- e opto-elettronica.

Eterostrutture SiGe
analisi di un circuito stampato al microscopio

Le leghe SiGe sono importanti da un punto di vista fondamentale ed applicativo per le loro proprietà strutturali, chimiche ed elettroniche per applicazioni in microelettronica e fotonica.

  • Tramite Raman e fotoluminescenza, studiamo la correlazione tra condizioni di crescita e proprietà del sistema. Si analizzano le proprietà di stress, composizione e dimensionalità sulle proprietà vibrazionali ed elettroniche delle eterostrutture.
  • Tramite microspettroscopia Raman studiamo le proprietà vibrazionali delle strutture di SiGe, principalmente punti quantici.
  • Analizziamo le proprietà elettroniche di buche quantiche multiple tramite spettroscopie di trasmissione e fotoluminescenza in funzione della temperatura.
  • Studiamo le proprietà di spin di eterostrutture Ge/SiGe mediante spettroscopia di fotoluminescenza con controllo della polarizzazione.

 

Gruppo di ricerca

Laboratorio

Laboratorio di Spettroscopia dei semiconduttori – Edificio U5, Piano 1, locale 1066-1069-1073-1075

Facilities

Per fotoluminescenza, eccitazione di fotoluminescenza, trasmissione e Raman nell’intervallo 0.4 – 5.0 eV, utlizziamo diversi apparati spettroscopici dispersivi e FT. La spettroscopia Raman può arrivare fino a 5 cm-1. Le temperature di misura vanno da 2 K a 450 K. Sorgenti: He-Ne, Ar, Ar-raddoppiato, Ti-zaffiro, DPSS e diodi laser, lampade ad incandescenza ed ad alta pressione. Sistema di misura Raman e PL nel range 4 K – 300 K, 0.75 – 3.4 eV. Sistema di fotoluminescenza e decadimento risolto in tempo con tempi fino a 10-8 s. Epitassia molecolare per semiconduttori III-V. Caratterizzazione AFM.