Grandi attrezzature di ricerca

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Analizzatore di assorbimento di vapore acqueo

Strumento per misure di assorbimento e desorbimento dinamico di umidità. In particolare applicato alla datazione con reidrossilazione (ceramics rehydroxilation dating)

Edificio: U5, Piano: 1, Stanza: 1105
Responsabile scientifico: MARTINI MARCO , GALLI ANNA
Voci tariffario: A.7
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Analizzatore Parametrico 4210-CVU

Strumentazione per misure elettriche di capacità-voltaggio e corrente-voltaggio

Edificio: U5, Piano: 1, Stanza: 1097
Responsabile scientifico: FANCIULLI MARCO
Voci tariffario: G.1; G.2
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Apparato di Breakthrough

Apparato di Breakthrough Alfatest. Lo strumento permette di valutare la capacità di materiali porosi di catturare selettivamente e separare gas a partire da miscele, oltre allo stoccaggio di gas.

Edificio: U5, Piano: 1, Stanza: 1047
Responsabile scientifico: COMOTTI ANGIOLINA
Voci tariffario: R.2
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Apparato per epitassia da fasci molecolari organici (OMBE)

Crescita di film sottili organici in condizioni controllate mediante la tecnica di deposizione da fasci molecolari organici (OMBE).
L’apparato è costituito da una camera di introduzione, una camera di metallizzazione e la camera di crescita, con quattro sorgenti per diversi materiali, completa di microbilancia al quarzo per il controllo in-situ dello spessore dei film (range da 1 Å a decine di nm). Il vuoto limite che può essere raggiunto in camera di crescita è di ~ 5x10-10 mbar tramite una criopompa . Un sistema di raffreddamento e di riscaldamento del substrato permettono di variare la temperatura del substrato in un range compreso tra 77 K e 900 K. La camera di crescita è inoltre dotata di una finestra BOMCO di quarzo per misure ottiche in-situ e in tempo reale.
L'apparato è equipaggiato da un'ulteriore camera di crescita (dotata di un'unica sorgente) che raggiunge il vuoto limite di ~ 1x10-7 mbar.

Edificio: U5, Piano: 0, Stanza: T044
Responsabile scientifico: SASSELLA ADELE
Voci tariffario: I.11; I.12
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Asterix

Cluster Ibrido in architettura X86/CPU per Simulazioni computazionali

Edificio: U8, Piano: -2, Stanza: 2i31
Responsabile scientifico: DI VALENTIN CRISTIANA
Voci tariffario: Y.1
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Atomic Layer Deposition (ALD)

Strumentazione per la deposizione di singoli strati atomici per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore

Edificio: U5, Piano: 0, Stanza: T047
Responsabile scientifico: FANCIULLI MARCO
Voci tariffario: G.5
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CLARUS 590 GC

Gas cromatografo in fase gassosa CLARUS 590 GC

Edificio: comodato, Piano: , Stanza: comodato
Responsabile scientifico: MUSTARELLI PIERCARLO
Voci tariffario: W.1
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Cleopatra

Infrastruttura di calcolo parallelo ad alte prestazioni per Simulazioni computazionali

Edificio: U8, Piano: -2, Stanza: 2i31
Responsabile scientifico: DI VALENTIN CRISTIANA
Voci tariffario: Y.1
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Combined MA-XRF and total reflectance spectroscopy scanner

Strumento per misure in situ combinate in scansione di spettroscopia di fluorescenza a raggi X e di spettroscopia Vis-NIR in riflessione. La spettroscopia di fluorescenza a raggi X a scansione (MAXRF) consente la mappatura multi-elementale (elementi con numero atomico Z>12) di macro-aree sulla superficie di un manufatto in modo non invasivo. In modo analogo l’analisi in scansione mediante spettroscopia Vis-NIR in riflessione consente l’acquisizione di immagini iperspettrali in un ampio intervallo spettrale (400-2500nm) che forniscono informazioni sia sulla distribuzione e che sulla natura chimica di pigmenti e, in generale, di componenti inorganiche (bande elettroniche, bande vibrazionali armoniche e di combinazione), e di componenti organiche (bande vibrazionali armoniche e di combinazione dei materiali organici naturali e sintetici) presenti sulla superficie indagata. In IRIS l’informazione ottenuta dalle due tecniche viene raccolta in modo combinato per ogni punto della superficie scansionata integrando l’informazione chimica elementare con quella molecolare.

Edificio: U5, Piano: primo, Stanza: U5-1100
Responsabile scientifico: GALLI ANNA
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Criostato magnetico per spettroscopia magneto-ottica

Spettroscopia ottica ed elettrica sotto intenso campo magnetico e a bassa temperatura

Edificio: U5, Piano: 0, Stanza: T064
Responsabile scientifico: MEINARDI FRANCESCO
Voci tariffario: X.3
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